عملکرد و مدل‌سازی ترانزیستور MOS
یانیس تسیویدیس
کتاب "عملکرد و مدل‌سازی ترانزیستور MOS" نوشته یانیس تسیویدیس (Yannis Tsividis) یکی از منابع معتبر در زمینه فیزیک، مدل‌سازی و طراحی مدارهای مبتنی بر ترانزیستورهای MOS است. این کتاب برای دانشجویان مهندسی برق، به‌ویژه گرایش الکترونیک و مدارهای مجتمع، و همچنین برای مهندسان طراحی تراشه‌ها و سیستم‌های آنالوگ و دیجیتال مناسب است.
درباره نویسنده:
یانیس تسیویدیس (Yannis Tsividis) استاد مهندسی برق در دانشگاه کلمبیا و یکی از متخصصان برجسته در مدارهای آنالوگ و مدل‌سازی ترانزیستور MOS است. او مدرک دکتری خود را از دانشگاه کلمبیا دریافت کرده و نقش کلیدی در توسعه مدل‌های دقیق MOSFET و شبیه‌سازی SPICE داشته است. تسیویدیس مقالات متعددی در مدارهای CMOS، نویز و طراحی VLSI منتشر کرده و جوایز علمی معتبری دریافت کرده است.
ازجمله آثار ایشان:
- «Mixed Analog-Digital VLSI Devices and Technology» (مدارهای آنالوگ-دیجیتال ترکیبی و فناوری VLSI) بررسی تکنیک‌های طراحی و فناوری‌های مدارهای مجتمع ترکیبی
- «MOS Analog Integrated Circuits» (مدارهای مجتمع آنالوگ MOS) تمرکز بر طراحی و تحلیل مدارهای آنالوگ CMOS
ویژگی‌های کتاب:
- پوشش جامع: از مبانی فیزیکی عملکرد ترانزیستور MOS تا مدل‌سازی دقیق و کاربردهای طراحی در مدارهای مجتمع
- نگاه عمیق به مدل‌سازی: ارائه مدل‌های مختلف برای MOSFET در شرایط مختلف عملکردی (مانند ناحیه زیرآستانه، اشباع و خطی)
- تحلیل دقیق: بررسی تأثیرات مختلف مانند اثرات کانال کوتاه، ظرفیت‌های پارازیتی و نویز
- کاربرد در طراحی مدار: ارائه روش‌هایی برای تحلیل و طراحی مدارهای آنالوگ و دیجیتال مبتنی بر MOSFET
محتوای کتاب:
- مقدمه‌ای بر ترانزیستورهای MOS
- ساختار و فیزیک نیمه‌هادی‌ها
- مدل‌های الکتریکی ترانزیستور MOS
- اثرات غیرایده‌آل و مدل‌های پیشرفته
- تحلیل دینامیکی و پاسخ فرکانسی
- مدل‌های نویز و تحلیل آن‌ها
- کاربردهای طراحی در مدارهای آنالوگ و دیجیتال
مخاطبان کتاب:
- دانشجویان مهندسی برق و الکترونیک
- مهندسان و طراحان مدارهای مجتمع (IC Design Engineers)
- پژوهشگران و متخصصان صنعت نیمه‌هادی
- اساتید و مدرسین دانشگاه
درمجموع، کتاب یکی از منابع مرجع در زمینه فیزیک، مدل‌سازی و تحلیل ترانزیستورهای MOSFET است. این کتاب مباحثی از اصول پایه‌ای تا مدل‌های پیشرفته، اثرات غیرایده‌آل و کاربردهای طراحی در مدارهای آنالوگ و دیجیتال را پوشش می‌دهد. به دلیل دقت علمی و جامعیت، به‌عنوان یکی از مراجع اصلی در دانشگاه‌ها و صنعت نیمه‌هادی شناخته می‌شود.